拖尾色譜柱

NT-C18 Plus拖尾色譜柱的性能(néng)優勢

• *的鍵合和封尾技(jì )術，堿性化合物(wù)峰形好

• 柱效高、質(zhì)量穩定性好

• 内置Odreams®技(jì )術保護柱，使用(yòng)壽命長(cháng)

• 主要用(yòng)于堿性化合物(wù)等容易拖尾的樣品分(fēn)析

NT-C18 Plus拖尾色譜柱設計原理(lǐ)

液相色譜分(fēn)析中(zhōng)堿性化合物(wù)峰形拖尾是一種非常普遍、常見的現象，究其原因是由于色譜柱内填料中(zhōng)的殘餘矽羟基引起的。殘餘矽羟基是在填料鍵合的過程中(zhōng)産(chǎn)生，且由于立體(tǐ)效應無法*消除，是矽膠基質(zhì)色譜柱不可(kě)避免的負面影響。殘餘矽羟基具(jù)有(yǒu)弱酸性，在流動相中(zhōng)存在一定成都的電(diàn)離，形成Si-O–負離子，而帶氨基的堿性化合物(wù)在流動相中(zhōng)易形成氨基正離子-H3N+、-RH2N+或-R2HN+，正負離子之間的相互吸引力較強，比液相分(fēn)析中(zhōng)起主要作(zuò)用(yòng)的分(fēn)子間作(zuò)用(yòng)力大得多(duō)，由于靜電(diàn)吸引力是近程作(zuò)用(yòng)力，隻有(yǒu)相對較少的樣品分(fēn)子能(néng)與殘餘矽羟基的Si-O–負離子相互作(zuò)用(yòng)，因此在色譜分(fēn)離過程中(zhōng)，少量樣品分(fēn)子保留能(néng)力變強，出峰滞後，由此産(chǎn)生了譜圖中(zhōng)的峰形拖尾。

殘餘矽羟基是引起樣品峰形拖尾的主要原因。液相方法中(zhōng)通常通過調整流動相的pH、在流動相中(zhōng)加入三乙胺、辛烷磺酸鈉、四丁基溴化铵等試劑用(yòng)于改善峰形，其原理(lǐ)都是抑制殘餘矽羟基的Si-O–負離子與氨基正離子的靜電(diàn)作(zuò)用(yòng)，從而達到改善峰形的目的。譜甯科(kē)技(jì )對NT-C18的設計原理(lǐ)亦是如此，通過從填料源頭上消除殘餘矽羟基，阻礙二者的靜電(diàn)作(zuò)用(yòng)以改善拖尾，殘餘矽羟基沒有(yǒu)了，自然也就不會與樣品分(fēn)子産(chǎn)生次級保留作(zuò)用(yòng)，因而抑制了峰形拖尾，改善峰形、提高柱效。

Pntulips® NT-C18 Plus性能(néng)參數