拖尾峰色譜柱

NT-C18 Plus的性能優勢

• *的鍵合和封尾技術，堿性化合物(wù)峰形好
• 柱效高、質量穩定性好
• 内置Odreams^®技術保護柱，使用壽命長
• 主要用于堿性化合物(wù)等容易拖尾的樣品分(fēn)析

NT-C18 Plus設計原理

液相色譜分(fēn)析中(zhōng)堿性化合物(wù)峰形拖尾是一(yī)種非常普遍、常見的現象，究其原因是由于色譜柱内填料中(zhōng)的殘餘矽羟基引起的。殘餘矽羟基是在填料鍵合的過程中(zhōng)産生(shēng)，且由于立體(tǐ)效應無法*消除，是矽膠基質色譜柱不可避免的負面影響。殘餘矽羟基具有弱酸性，在流動相中(zhōng)存在一(yī)定成都的電(diàn)離(lí)，形成Si-O^–負離(lí)子，而帶氨基的堿性化合物(wù)在流動相中(zhōng)易形成氨基正離(lí)子-H₃N⁺、-RH₂N⁺或-R₂HN⁺，正負離(lí)子之間的相互吸引力較強，比液相分(fēn)析中(zhōng)起主要作用的分(fēn)子間作用力大(dà)得多，由于靜電(diàn)吸引力是近程作用力，隻有相對較少的樣品分(fēn)子能與殘餘矽羟基的Si-O^–負離(lí)子相互作用，因此在色譜分(fēn)離(lí)過程中(zhōng)，少量樣品分(fēn)子保留能力變強，出峰滞後，由此産生(shēng)了譜圖中(zhōng)的峰形拖尾。

殘餘矽羟基是引起樣品峰形拖尾的主要原因。液相方法中(zhōng)通常通過調整流動相的pH、在流動相中(zhōng)加入三乙胺、辛烷磺酸鈉、四丁基溴化铵等試劑用于改善峰形，其原理都是抑制殘餘矽羟基的Si-O^–負離(lí)子與氨基正離(lí)子的靜電(diàn)作用，從而達到改善峰形的目的。譜甯科技對NT-C18的設計原理亦是如此，通過從填料源頭上消除殘餘矽羟基，阻礙二者的靜電(diàn)作用以改善拖尾，殘餘矽羟基沒有了，自然也就不會與樣品分(fēn)子産生(shēng)次級保留作用，因而抑制了峰形拖尾，改善峰形、提高柱效。

Pntulips^® NT-C18 Plus性能參數